Kieszonkowy detektor DNA
14 marca 2008, 09:05Interdyscyplinarne podejście do nauki już nieraz okazało się najlepszym rozwiązaniem istniejących problemów. Tym razem wysiłek specjalisty w dziedzinie nanotechnologii ma szansę stać się przełomem w biologii molekularnej, a dzięki temu być może także w innych dziedzinach, np. w kryminalistyce lub medycynie. Dr Samuel Afuwape z amerykańskiego Uniwersytetu Narodowego, bo o nim mowa, opublikował niedawno hipotetyczny model przenośnego urządzenia zdolnego do szybkiego i wygodnego wykrywania DNA o określonej sekwencji.
Szybsze procesory dzięki ferroelektrykom?
14 września 2011, 15:01Inżynierowie z University of California, Berkeley, zaprezentowali sposób na zmniejszenie minimalnego napięcia koniecznego do przechowywania ładunku w kondensatorze
Przełączanie grafenu
25 sierpnia 2008, 12:14Niemiecka firma AMO, we współpracy z brytyjskimi naukowcami z University of Manchester, stworzyła grafenowy przełącznik.
Wkrótce zadebiutuje Xeon z tranzystorami 3D
12 kwietnia 2012, 15:18Jeszcze w bieżącym kwartale na rynek trafi pierwszy serwerowy procesor Intela z tranzystorami 3D (tranzystor trójbramkowy). Nowy Xeon będzie korzystał z architektury Ivy Bridge, a jego pierwsze wersje będą przeznaczone na rynek mikroserwerów.
Bell Labs rezygnuje z badań nad półprzewodnikami
1 września 2008, 10:44Bell Labs, jedna z najbardziej zasłużonych instytucji badawczych w przemyśle IT, rezygnuje z badań nad układami scalonymi. Od sześciu lat, kiedy to z Bell Labs wydzielono grupę zajmującą się półprzewodnikami, wydział badań materiałowych i fizyki urządzeń chylił się ku upadkowi.
Krzem ma poważną konkurencję
10 grudnia 2012, 19:46Inżynierowie z MIT-u wyprodukowali najmniejszy tranzystor uzyskany z arsenku galu. Tym samym dowiedli, że materiał ten może w niedalekiej przyszłości zastąpić krzem w roli głównego półprzewodnika uzywanego w elektronice
Najszybszy grafenowy tranzystor
22 grudnia 2008, 12:33IBM poinformował o stworzeniu najbardziej wydajnego grafenowego tranzystora polowego. Urządzenie, które może pracować z najwyższymi notowanymi dotąd częstotliwościami, powstało w ramach finansowanego przez DARPA programu Carbon Electronics for RF Applications (CERA).
Grafenowo-molibdenitowy układ pamięci
20 marca 2013, 17:19Szwajcarzy z École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) połączyli dwa rewolucyjne materiały - grafen i molibdenit - w prototypowy układ pamięci flash. Uczeni z EPFL już przed dwoma laty zwrócili uwagę na niezwykle interesujące właściwości molibdenitu, a kilka miesięcy później zaprezentowali pierwszy układ scalony wykonany z tego materiału.
Teoretyczna pamięć fononowa
8 stycznia 2009, 12:34Lei Wang i Baowen Li, naukowcy z Singapuru badają możliwość wyprodukowania urządzeń przechowujących dane, które miałyby działać nie dzięki zmianom napięcia, a zmianom temperatury (falom cieplnym).
Silicenowy tranzystor
4 lutego 2015, 13:41Włosko-amerykańskiemu zespołowi naukowców udało się zbudować pierwszy tranzystor z silicenu. Materiał ten to alotropowa, jednoatomowa odmiana krzemu, tworząca pofałdowaną warstwę przypominającą plaster miodu.
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 8 9 …
